簡易檢索 / 檢索結果

  • 檢索結果：共4筆資料 檢索策略： "Sheng-Lyang Jang".ecommittee (精準) and ckeyword.raw="功率元件"


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    以無接面金氧半場效電晶體觸發之薄膜絕緣閘極雙極性電晶體
    • 電子工程系 /108/ 碩士
    • 研究生： 江衍坊   指導教授： 莊敏宏
    • 近年來，由於電子產品以及電力交通工具的蓬勃發展，使得功率積體電路的應用越來越廣。絕緣閘極雙極性電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)同時具有高電流與高…
    • 點閱：412  下載：0 
    • 全文公開日期 2025/06/15 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)

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    鰭式結構之橫向雙擴散功率金氧半場效電晶體
    • 電子工程系 /109/ 碩士
    • 研究生： 關正群   指導教授： 莊敏宏
    • 電子產品的發展日新月異，使得功率積體電路的應用越來越廣泛。 功率金氧半場效電晶體具有高輸入阻抗、高切換速度、小的元件尺寸、以及可承受大電壓和大電流的優點，因此是最常應用在功率積體電路的元件之一。 然…
    • 點閱：461  下載：0 
    • 全文公開日期 2024/06/08 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)

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    溝渠式絕緣閘極雙極性電晶體之結構設計
    • 電子工程系 /102/ 碩士
    • 研究生： 廖麗鳳   指導教授： 莊敏宏
    • 本論文主要研究功率半導體元件，而做為開關器使用之功率半導體元件，理想上的導通狀態為短路，並且在截止狀態為開路；在市面上像是傳統的功率金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)在耐高電壓時有過大的串聯…
    • 點閱：478  下載：11 

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    具p型氮化鎵埋入層之氮化鎵基底功率金氧半場效電晶體之研究
    • 電子工程系 /105/ 碩士
    • 研究生： 洪楷程   指導教授： 莊敏宏
    • 近年來，氮化鎵(GaN)以被廣泛研究，跟矽比起來有優良的材料特性。此外，在氮化鎵鋁(AlGaN)與氮化鎵的異質接面處發現了高密度的電子，研究其原因是由於自發性極化效應(Spontaneous Pol…
    • 點閱：260  下載：3 
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 2022/08/08 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)
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